Samsung三星840 EVO係列固態硬盤固件EXT0DB6Q官方版三星840 EVO固態硬盤持續不停的掉速問題讓很多用戶苦惱不已,尤其是更新固件修複了一次依然存在更令人崩潰。雖然三星解釋說這與使用TLC規格閃存無關,但人們還是免不了再次把懷疑的目光投向它。
好在三星是負責任的,承諾的新固件也終於來了,今天就為840 EVO放出了新版本“EXT0DB6Q”。由於掉速問題的根源在於19nm TLC NAND閃存本身,Cell單元的充電電荷會隨時間衰減,導致硬盤在獲取正確數據的時候不得不反複嚐試讀取,進而影響性能,所以是不可能從根本上解決的,三星的方法隻不過是間歇性地強製刷新數據,從而避免數據“變老”。
為了方便用戶手動控製,Magician 4.6版工具還加入了高級性能優化(Advanced Performance Optimization),類似三星此前給出的性能恢複工具,用戶讓固態硬盤重寫所有內部數據。
這自然會消耗山村的一部分編程/擦寫循環,而且考慮到TLC閃存的壽命本來就相對較短,是不是更不耐用了?這個要從兩方麵看了:首先,壽命縮短是必然的;其次,不會短到沒法用,因為TLC的編程/擦寫循環至少有1000次,而即便你每周刷新一次,持續五年,也隻會消耗總次數的26%,剩下的仍然夠用好多年的。另外,三星已經開始全麵轉向3D V-NAND,新的立體閃存比傳統平麵閃存更加可靠,不會再有類似的問題了。
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